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La vitesse d'itération de la HBM3 à la HBM4E s'accélère de plus en plus, et ce qui est en jeu n'est pas seulement la technologie, mais aussi la capacité de production et la livraison.
Samsung Electronics pousse à fond ses efforts de R&D pour sa prochaine génération de mémoire à large bande (HBM), dans le but de renforcer davantage sa position sur le marché de la mémoire pour l'intelligence artificielle de haute gamme. Selon les rapports, Samsung Electronics prévoit de produire ses premiers échantillons de HBM4E conformes aux normes de Nvidia dès mai 2026 au plus tôt. Des sources de l'industrie ont révélé que Samsung dispose d'un calendrier clair et serré. Son objectif est, d'ici la mi-mois prochain, de faire en sorte que le département de sous-traitance parvienne à produire avec succès des échantillons de la puce logique centrale HBM4E.