El fotomáscara (photomask, en China se denomina «光掩模») es uno de los consumibles más críticos en el proceso de fabricación de semiconductores y, al mismo tiempo, el más fácil de que los inversores pasen por alto. En abril de 2026, el analista de Citrini Research, Jukan, señaló que «HBM4 trae un mercado de servicios de fotomáscaras que antes no existía; los fabricantes japoneses serán los mayores ganadores»; en apenas una semana, el diario «Seoul Economic Daily» confirmó que los ingresos por servicios de fotomáscaras de Samsung y SK Hynix en esta temporada se han duplicado en comparación con el mismo periodo del año pasado. Este artículo ofrece un análisis completo: qué es una fotomáscara, qué tipo de fotomáscaras necesita HBM4, por qué los fabricantes japoneses dominan la situación y cómo pueden participar los inversores.
Qué es una fotomáscara
La fotomáscara es la plantilla que se usa en la fabricación de chips para «transferir el patrón del circuito» a los sustratos de silicio (obleas de silicio). En esencia, es una lámina de vidrio de cuarzo de alta precisión, con una capa metálica de cromo de varias decenas a cien nanómetros de espesor depositada en su superficie. Mediante una máquina de litografía por haz de electrones (electron-beam) se graba el patrón de circuito diseñado en la capa de cromo. Cuando la planta de obleas ejecuta el paso de litografía, hace pasar la luz a través de la fotomáscara para que el patrón del circuito exponga y revele el material fotorresistente (photoresist).
Un chip de proceso avanzado, desde el diseño hasta la producción en masa, normalmente requiere entre 30 y 80 o más fotomáscaras. La fotomáscara es una inversión de proceso «de una sola vez»: un conjunto completo de fotomáscaras puede usarse para producir millones de obleas, pero cada vez que cambian las especificaciones del producto (nodo de proceso nuevo, diseño de producto nuevo) hay que volver a fabricar el conjunto completo. Esto convierte a la fotomáscara en un mercado especializado de alta barrera de entrada y alto margen bruto, pero con volumen total limitado.
Grados técnicos y rangos de precios de las fotomáscaras
Las fotomáscaras se clasifican por nodo de proceso; el precio unitario de cada capa, las barreras técnicas y el panorama competitivo son totalmente distintos:
Grado técnico Nodo de proceso Precio por juego Proveedores principales High-NA EUV Por debajo de 2nm (2027+) Decenas de millones de dólares DNP、TOPPAN、Hoya (entrada) EUV 3nm／5nm／7nm $200–500 万美元 TSMC／Samsung interno＋fabricantes japoneses DUV / ArF Immersion 14nm／28nm $50–200 万美元 DNP、TOPPAN、Photronics Proceso maduro 45nm y superior $10–50 万美元 Photronics、fabricantes de fotomáscaras en Taiwán、fabricantes en China
Cuanto más avanzado es el proceso de la fotomáscara, más cara es y más difícil de fabricar; también hay menos competidores. En niveles por encima de EUV, casi todo está monopolizado por fabricantes japoneses: DNP, TOPPAN y Hoya, en combinación con los departamentos internos de fotomáscaras de TSMC／Samsung／Intel. En procesos maduros, lo comparten fabricantes taiwaneses y actores internacionales como Photronics.
Qué es HBM y por qué se necesitan fotomáscaras
HBM (High Bandwidth Memory, memoria de alto ancho de banda) es un formato de memoria que logra un ancho de banda extremadamente alto apilando verticalmente múltiples chips DRAM, interconectándolos verticalmente con TSV (vías a través del silicio) y combinándolo con base die (chip base de lógica). En comparación con la estructura de un solo chip del DDR5 DRAM tradicional, HBM logra varias veces a decenas de veces más ancho de banda mediante apilamiento 3D, siendo un componente clave para impulsar el cómputo de los GPU de IA (Nvidia H100／H200／B100／B200).
El proceso de HBM involucra tres tipos de fotomáscaras: fotomáscaras del propio chip DRAM, fotomáscaras del chip base die (lógica) y fotomáscaras para perforaciones TSV. Cada producto HBM es un conjunto completo de fotomáscaras, y a medida que avanza la generación, el número de fotomáscaras y los requisitos de precisión aumentan de forma paralela.
Avances técnicos de HBM4 y nuevas necesidades de fotomáscaras
En comparación con la generación anterior (HBM3E), HBM4 presenta tres mejoras importantes:
Apilamiento 16-Hi: de 12 capas a 16 capas; la capacidad por chip HBM4 alcanza 48GB, con un salto de ancho de banda a 2TB/s
Nodos lógicos en el base die: por primera vez, el base die se fabrica en un proceso lógico avanzado como TSMC N3, en lugar del proceso DRAM tradicional; esto incrementa de forma significativa la lógica del controlador de memoria, la velocidad PHY y la gestión de energía
Diseño personalizado: para distintos clientes (Nvidia, AMD, Broadcom, Google TPU) con especificaciones dedicadas, ya no se trata de un producto estandarizado
Estas tres mejoras aumentan directamente la demanda de fotomáscaras: las fotomáscaras TSV del apilamiento 16-Hi requieren mayor precisión; las fotomáscaras EUV son necesarias para el nodo lógico de N3 del base die; y el diseño personalizado significa que cada cliente requiere un nuevo conjunto de fotomáscaras. Por lo tanto, HBM4 pasa de «fabricación simple de memoria» a «fabricación de precisión híbrida de lógica + memoria», y el consumo de fotomáscaras se dispara de decenas de piezas en HBM3E a más de cien.
Por qué Samsung y SK Hynix inician grandes contratos de servicios externos
Históricamente, las fábricas de memoria fabricaban sus propias fotomáscaras: Samsung y SK Hynix cuentan con departamentos internos maduros de fotomáscaras, que en el pasado se encargaban de las fotomáscaras necesarias para DRAM, NAND y HBM3E. Después del cambio a HBM4, el impulso para externalizar proviene de dos direcciones:
Primero, la presión de los tiempos de producción en masa de GPU Nvidia Rubin. SK Hynix tiene el 62% de participación en el mercado de HBM y se prevé que, en la segunda mitad de 2026, entregue suministro en paralelo con la producción en masa de Nvidia Vera Rubin; Samsung y Micron también están con urgencia por ponerse al día. Los departamentos de HBM4 de las tres compañías al mismo tiempo movilizan talento de fabricación de precisión internamente, especialmente ingenieros senior capaces de fabricar fotomáscaras de nodos lógicos en el base die.
Segundo, las categorías de tecnología de las fotomáscaras son diferentes. La fotomáscara DRAM de HBM4 aún puede ser absorbida internamente, pero las fotomáscaras del base die (nivel TSMC N3) requieren capacidad EUV／High-NA EUV. Los departamentos internos de fotomáscaras de las fábricas de memoria originalmente están más acostumbrados al proceso DRAM y tienen menos experiencia en nodos lógicos. Esta parte, naturalmente, se canaliza hacia los fabricantes profesionales de fotomáscaras de Japón.
El resultado es lo que Jukan dijo: «un mercado nuevo que no existía antes». Las fábricas de memoria liberan activamente pedidos de fotomáscaras y el objetivo de externalización son los fabricantes japoneses que pueden fabricar fotomáscaras de lógica avanzada. La noticia del Seoul Economic Daily sobre que los ingresos por externalización de fotomáscaras en esta temporada duplican (y más) los del mismo periodo del año pasado confirma la magnitud.
Ventajas competitivas de los fabricantes japoneses de fotomáscaras
DNP (Dai Nippon Printing) y TOPPAN Holdings son los dos grandes fabricantes japoneses de fotomáscaras; ambos tienen en su ADN la fabricación de precisión de empresas de impresión centenarias. DNP, en fechas recientes, colaboró con Tekscend para prepararse para fotomáscaras High-NA EUV y anunció que en 2027 suministrará fotomáscaras para el proceso de 2nm de la nueva empresa Rapidus. El grupo de negocios electrónicos de TOPPAN (rebautizada como TOPPAN Holdings en 2023 desde Toppan Inc) abarca simultáneamente TFT LCD, filtros de color, fotomáscaras y encapsulado de semiconductores.
La ventaja competitiva clave de ambos proviene de: (1) la inversión a largo plazo en la cadena de tecnología de fotomáscaras en Japón, (2) la integración profunda de equipos EUV／High-NA EUV con ASML y (3) las relaciones de cooperación existentes con TSMC, Samsung e Intel. Los fabricantes de fotomáscaras de Corea del Sur y Taiwán se concentran más en procesos maduros o en DUV, lo que dificulta hacerse cargo de los pedidos de nodos lógicos necesarios para HBM4.
Cómo pueden participar los inversores en esta tendencia
Para inversores en acciones japonesas: el objetivo directo son 7912.T (Dai Nippon Printing) y 7911.T (TOPPAN Holdings). Además, Hoya (7741.T) también tiene negocios de fotomáscaras, pero se centra en sustratos de fotomáscara para EUV (photomask blanks), no en el producto final. Ambos alcanzaron máximos de varios años a inicios de 2026. Antes de entrar, conviene prestar atención a esto: si la externalización de fotomáscaras puede continuar hasta 2027 y la presión sobre el margen bruto de pedidos que no sean EUV.
Para inversores en acciones taiwanesas: no hay objetivos perfectamente equivalentes, pero se puede entrar a través de grupos que se benefician indirectamente: en el concepto de fotomáscaras están Easyware? (易華電), Wei Xin-KY (維信-KY) y Tonghsin Electric (同欣電), entre otros; en placas ABF y encapsulado relacionado con HBM están King Yuan? (欣興), Giga? (景碩) y Nan Dian? (南電). TSMC (2330), como la parte de fabricación por contrato de base die de HBM4, también se beneficia indirectamente. La escala del grupo de fotomáscaras en Taiwán es menor que la de Japón y está más concentrada en procesos maduros.
Para inversores en criptoactivos: HBM4 y los GPU de IA determinan directamente los costos de infraestructura para la próxima generación de blockchain (incluyendo la ejecución de agentes de IA, inferencia on-chain y cómputo zk). Esta tesis comparte la misma lógica subyacente que las narrativas de IA que absorben el 80% de los venture capitals globales, así como historias como Alcoa × NYDIG para minería de infraestructura: la demanda de potencia de cómputo de IA supera con creces el ciclo de expansión típico del sector de semiconductores tradicional.
Mapa de la cadena de la industria: de la fotomáscara a la aplicación final
La cadena de la industria de HBM4 consta de cinco capas, de abajo hacia arriba:
Fotomáscara (Photomask): DNP, TOPPAN y Hoya suministran a fábricas de memoria y foundries (fabricantes por contrato)
Obleas DRAM／lógica: SK Hynix (62% de cuota), Samsung, Micron, TSMC (fabricación por contrato de base die)
Encapsulado avanzado (CoWoS／TSV): TSMC, Amkor, ASE 日月光 y otros
GPU／aceleradores de IA: Nvidia (H200／B200／Rubin), AMD (MI400), Broadcom (fabricación por contrato para TPU)
Usuarios finales: OpenAI, Anthropic, Google, Meta, centros de datos de fondos soberanos de Medio Oriente
La fotomáscara se sitúa en el upstream más lejano; cualquier anomalía en un solo eslabón se transmite hacia abajo en las demás capas. La noticia de que la externalización japonesa de fotomáscaras se duplica equivale a una señal de avanzada del ciclo de inversión en hardware de IA en todo el sector.
Preguntas frecuentes (FAQ)
¿Cuál es la diferencia entre fotomáscara y photoresist (tinta o resina de fotolitografía)?
La fotomáscara (photomask) es la plantilla para transferir el patrón del circuito; se puede reutilizar. El fotorresistente (photoresist) es una capa aplicada sobre la superficie de la oblea de silicio que, después de que la luz pasa a través de la fotomáscara, sufre cambios químicos; cada oblea requiere volver a aplicar la capa. Ambos son indispensables en el proceso, pero pertenecen a cadenas de suministro completamente distintas: la fotomáscara la dominan DNP, TOPPAN y otros; el fotorresistente lo dominan fábricas como JSR y TOK en Japón.
¿En qué se diferencia HBM4 de HBM3E?
Las tres grandes diferencias de HBM4: apilamiento de 16 capas (HBM3E tiene 12 capas), el base die por primera vez adopta un proceso lógico como TSMC N3 (HBM3E es proceso DRAM) y diseño personalizado (HBM3E es estandarizado). Estas tres características incrementan el uso y la complejidad de las fotomáscaras, además de que las fotomáscaras del base die se convierten en una necesidad externa independiente.
¿Por qué DNP no fabrica fotomáscaras EUV y solo hace procesos maduros?
Es un malentendido común. En realidad, DNP suministra tanto fotomáscaras DUV como EUV, y ya en 2027 pasará a suministrar fotomáscaras High-NA EUV para el proceso de 2nm de Rapidus 2. La parte de externalización de las fábricas de memoria a DNP se enfoca en «procesos relativamente maduros» porque las fábricas de memoria deciden mantener a su personal EUV más escaso en el núcleo de HBM4 y externalizar las partes menos críticas. La capacidad EUV de DNP sigue sirviendo principalmente a los grandes clientes de foundries como TSMC y Samsung.
¿Samsung y SK Hynix externalizarán permanentemente?
En el corto plazo (ciclo de producción en masa de Nvidia Rubin 2026–2027), los ingresos por externalización seguirán ampliándose. En el mediano plazo (después de 2028), dependerá de si los departamentos internos de fotomáscaras de ambas fábricas pueden recuperar capacidad. Históricamente, las fábricas de memoria coreanas tienden a mantener las tecnologías clave en su propio poder; pero en HBM4, el base die está en nodos de lógica, muy distinto de los procesos de fotomáscaras DRAM en los que las fábricas coreanas históricamente han sido fuertes. Por eso, no se descarta mantener a largo plazo el esquema de división del trabajo de «fábricas de memoria + fabricantes japoneses de fotomáscaras».
¿Las fábricas de fotomáscaras en Taiwán pueden hacerse con parte de los pedidos de HBM4?
En Taiwán, las fábricas de fotomáscaras actualmente se concentran principalmente en procesos maduros de 28nm o superiores; su nivel tecnológico y escala de capacidad no alcanzan a DNP y TOPPAN. Pero si el volumen de externalización sigue aumentando y la capacidad de los fabricantes japoneses resulta insuficiente, las fábricas taiwanesas podrían tener oportunidades de asumir pedidos excedentes. Los inversores pueden fijarse en la tasa de crecimiento del subsegmento de «aplicaciones de semiconductores» en los resultados de 2026 de la segunda mitad del año, como señal de inicio.
¿Qué es High-NA EUV? ¿Qué relación tiene con HBM4?
High-NA EUV es el nuevo equipo de litografía de próxima generación que ASML empezará a producir en masa en 2026. Su apertura numérica (Numerical Aperture) pasa de 0.33 a 0.55 y puede soportar procesos de por debajo de 2nm. El base die de HBM4 en sí todavía no usa High-NA EUV (en el nodo N3 aún basta con EUV tradicional), pero a partir de HBM5／HBM6, los base die se irán cambiando gradualmente. DNP y TOPPAN están invirtiendo en capacidad de fotomáscaras High-NA EUV para adaptarse al mercado de 2027–2028.
Este artículo: análisis completo de fotomáscaras HBM4 — por qué HBM4 hace que DNP y TOPPAN de Japón sean los mayores ganadores (2026) — apareció por primera vez en Cadena Noticias ABMedia.
