阿斯麥 ASML 公布 EUV 光源技術突破，預計到 2030 年芯片產能有望提升 50%

IT之家 2 月 23 日消息，据路透社今日报道，阿斯麦（ASML）的研究人员表示，他们已找到提升关键芯片制造设备光源功率的方法，到 2030 年可将芯片产量提高多达 50%。

IT之家注意到，阿斯麦極紫外（EUV）光源首席技術官迈克尔 珀维斯（Michael Purvis）在接受采访时表示：“這不是花拳绣腿，也不是那種只能在極短時間內演示可行的東西，這是一個能在客戶實際生產環境的所有相同要求下，穩定輸出 1000 瓦功率的系統。”

报道称，隨著周一公布的這一技術進步，阿斯麥旨在通過改進光刻機中技術難度最高的部分，進一步拉開與所有潛在競爭對手的距離。這是一場生成具備合適功率和特性的極紫外光，以實現高產量芯片製造的技術攻關，該公司研究人員已找到將 EUV 光源功率從目前的 600 瓦提升至 1000 瓦的方法。

其主要優勢在於，更高的功率意味著每小時能製造更多芯片，從而降低單顆芯片的成本。芯片製造過程類似“打印”：極紫外光照射到塗有光刻膠的硅片上。借助功率更高的 EUV 光源，芯片廠所需的曝光時間將大幅縮短。

阿斯麥 NXE 系列 EUV 光刻機業務執行副總裁滕 梵高（Teun van Gogh）表示，到 2030 年，升級後的設備每小時可處理約 330 片晶圓，而目前為 220 片。根據芯片尺寸的不同，每片晶圓可產出數百到數千顆芯片。

報導提到，阿斯麥通過強化其光刻機中最複雜的部件之一——錫滴發生器，實現了功率提升。在該系統中，大量二氧化碳激光將錫滴加熱成等離子體（一種超熱物質狀態），然後錫離子發出可用於芯片製造的極紫外光。

周一披露的關鍵進展是將錫滴數翻倍至約每秒 10 萬次，並用兩次較小的激光脈衝將其塑形成等離子體，而現在的機器只能用一次成型。

珀維斯表示：“這非常具有挑戰性，因為你需要掌握納米級的精準度，你必須掌握激光技術、等離子體科學以及材料科學。”他補充道：“我們在千瓦級實現的成果意義重大，已經看到了一條通往 1500 瓦的清晰路徑，從理論上講，未來突破 2000 瓦也不存在根本性障礙。”