美國向半導體技術初創企業“X-Light”投資2.2萬億韓元……啓動EUV激光國產化

美國政府爲強化在全球半導體供應鏈中的主導權，作爲其戰略的一部分，開始對民間半導體技術初創企業進行直接投資。美國商務部當地時間12月1日宣布，將推進對開發極紫外光刻設備用激光的初創企業"xLight"進行最高1.5億美元規模的投資，該激光被視爲尖端半導體工藝中的核心技術。

此次投資是依據《芯片法案》的激勵方案之一，被解讀爲美國爲確保半導體產業內技術自主度、降低在核心零部件和設備上對外依賴度的政策手段。《芯片法案》於2022年制定，是爲支持半導體制造和研發提供總計527億美元政府補貼和稅收激勵的法案。對xLight的投資是根據該法進行的最早的股權收購案例之一，因其是對民間初創企業的直接投資而被評價爲例外之舉。

xLight是總部位於加州帕洛阿爾托的技術初創企業。該公司旨在應用粒子加速器原理，開發能夠大幅降低功耗的"自由電子激光"。其效率遠超現有激光，目前正通過與美國國家實驗室的共同開發，制造未來可搭載於EUV光刻設備的原型機。值得注意的是，現存的EUV光刻設備實際上由荷蘭的ASML公司壟斷，美國政府正試圖通過此類投資正式推進確保本國替代技術。

EUV技術是將數十納米級別的半導體電路精密蝕刻到硅基板上所必需的設備技術。該設備中技術要求最高的部分正是激光裝置，這也是美國投資xLight的原因所在。若能以自主技術實現EUV，美國將能直接控制半導體供應鏈的上遊技術，這不僅關乎與中國的技術競爭，也可能對韓國、臺灣等盟友內部的供應鏈重組產生重大影響。

川普總統就此次投資指出，美國在EUV技術上對外部依賴過重，並強調不再將尖端技術讓與外部的意志。這一信息超越了單純的產業政策，反映出以戰略產業爲中心、由國家主導強化技術安全的主基調。

xLight於今年3月聘請英特爾前首席執行官帕特·基辛格擔任董事會主席，不僅在技術實力上，其管理層構成也受到業界關注。由此，美國傾力於國內半導體尖端技術開發的態勢已十分明確。

這一趨勢預示着未來美國政府也可能擴大對其他民間半導體技術企業的直接投資。在技術自主和確保供應鏈的戰略目標下，預計美國將進一步加強其跨越民間與公共界限的靈活幹預方式。