NanyaKe, Winbond Technology tritt ein! Ein ETF für komplettes Engagement in Speicher bringt: US-Aktien-DRAM-Bestandteile, Gebührenanalyse

Ein direkt auf das Speichersegment wettender ETF ist offiziell auf dem Markt. Der von Roundhill aufgelegte Memory-ETF: DRAM (Roundhill Memory ETF) ist am 2. April 2026 an der US-Börse gelistet und wird als der erste „reine Memory-ETF“ im Markt positioniert. Unternehmen können nur aufgenommen werden, wenn sie mehr als 50% ihres Umsatzes aus HBM, DRAM und NAND erzielen.

Der Fonds setzt stark auf Micron (24,63%), Samsung (24,11%) und SK hynix (23,08%) und nimmt zusätzlich SanDisk (4,90%), Kioxia (4,86%), Western Digital (4,77%), Seagate (4,73%), Nanya Technology (3,89%) und Winbond (2,40%) auf. Detaillierte Bestandteile und Gebühren finden Sie im vollständigen Artikel.

Gebühr des aktiven DRAM-ETF: 0,65%

Der DRAM-ETF ist ein aktiv verwalteter ETF mit einer Gebühr von 0,65%. Das aktuelle verwaltete Vermögen liegt bei etwa 250.000 US-Dollar, die Anzahl der Positionen beträgt nur 9, was ihn zu einem stark konzentrierten thematischen ETF macht. Im Vergleich zu traditionellen Halbleiter-ETFs (z. B. mit breiter Streuung über Design, Ausrüstung und Foundry) legt DRAM den Fokus auf „pure play“, also investiert ausschließlich in Unternehmen, die mit Speicher zu tun haben, und setzt direkt auf die im KI-Zeitalter entscheidendsten Anforderungen an Datenspeicherung und Bandbreite.

DRAM-ETF mit Exponierung gegenüber Micron, Samsung und SK hynix

Aus der Struktur der Fondskomponenten wird deutlich, dass der ETF klar auf die drei großen Memory-Giganten setzt: Micron Technology (24,63%), Samsung Electronics (24,11%) und SK hynix (23,08%). Zusammen liegt das Gewicht der drei bei über 70%, wodurch im Wesentlichen die Kern-Lieferseite des DRAM- und HBM-Markts nahezu vollständig fokussiert wird.

Bemerkenswert ist, dass diese Allokation die Exponierung des DRAM-ETFs gegenüber den beiden koreanischen Memory-Stars SK hynix und Samsung Electronics in einem höheren Maß erhöht als bei einem anderen thematischen koreanischen ETF: EWY.

Darüber hinaus nimmt der ETF auch taiwanesische Memory-Hersteller auf, darunter Nanya Technology (3,89%) und Winbond (2,40%). Weitere Bestandteile sind Kioxia, SanDisk, Western Digital und Seagate Technology, die die Lieferkette für NAND und Speichergeräte abdecken, wobei die Gesamtgewichte relativ niedriger sind.

DRAM setzt wie mit einem Hebel auf Memory-Aktien

Ein weiteres strukturelles Merkmal, das es zu beachten gilt, ist, dass der ETF total return swap (Total-Return-Swap) verwendet, um einen Teil der Vermögenswerte zu halten. Das dient dazu, die US-amerikanischen RIC-Vorgaben (Regulated Investment Company) zur Streuung einzuhalten. Das bedeutet auch, dass die tatsächliche Exponierung möglicherweise leicht von einem traditionellen physischen Aktienbestand abweicht, was die Komplexität des Produktaufbaus erhöht.

Ergänzend gilt: ETFs, die Derivate nutzen, um Positionen aufzubauen, unterscheiden sich grundsätzlich von ETFs, die einfach „Aktien direkt kaufen“. Traditionelle ETFs halten in der Regel die Bestandteile direkt mit dem Geld der Anleger, wodurch die Vermögensallokation und der Nettoinventarwert relativ transparent sind; bei einer Struktur wie beim DRAM-ETF hingegen dient ein Teil des Cash als Sicherheit (Margin), und durch Verträge wird die Exponierung gegenüber einem bestimmten Industriebereich verstärkt, sodass die gesamte investierte Position möglicherweise über 100% liegt.

Der DRAM-ETF gehört zu den stark auf eine einzige Branche fokussierten thematischen ETFs. Solche Produkte können in einem Aufwärtstrend rund um KI möglicherweise deutliche überdurchschnittliche Renditen erzielen, verstärken aber gleichzeitig auch das Risiko von Konjunkturzyklen. Die Memory-Branche selbst weist starke Preiszyklus-Eigenschaften auf; sobald sich Angebot und Nachfrage drehen, liegen die Schwankungen der Aktienkurse häufig deutlich über denen allgemeiner Halbleiter-ETFs oder breiter Marktindizes.

Der Artikel „Nanya Technology und Winbond kommen dazu! Voller Einsatz auf den Memory-ETF startet: US-DRAM-Bestandteile und Gebührenanalyse“ wurde zuerst veröffentlicht bei ABMedia.